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碳化硅是繼代半導(dǎo)體Si(硅)、第二代半導(dǎo)體GaAs(砷化鎵)，InP(磷化銦)等之后發(fā)展起來的重要的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高和相對(duì)介電常數(shù)低等的特點(diǎn)，在高溫、高頻、大功率、微電子器件等方面和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用中有著不可替代的優(yōu)勢(shì)，因此，碳化硅是微電子、電力電子和光電子等高新技術(shù)持續(xù)發(fā)展的重要半導(dǎo)體材料之一。近年來迅速滲透到照明，電力器件，微波射頻等，其中，在功率器件的制造和外延生長(zhǎng)中，對(duì)碳化硅單晶材料終的表面質(zhì)量有嚴(yán)格的要求，想得到一片完整的碳化硅襯底，需要經(jīng)過很多道工序進(jìn)行加工，因此，切割前對(duì)碳化硅晶棒端面進(jìn)行磨削是必不可少的。

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然而由于碳化硅晶棒很短(8mm-25mm)，采用傳統(tǒng)治具裝夾到碳化硅晶棒時(shí)，一方面容易導(dǎo)致晶棒邊緣出現(xiàn)崩角或夾不住狀況，另一方面由于一次只能裝夾一根碳化硅晶棒，導(dǎo)致在端面研磨機(jī)上一次只能磨削一根碳化硅晶棒，磨削效率低。

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現(xiàn)有通常采用安裝有砂輪的端面研磨機(jī)等對(duì)碳化硅的晶棒端面進(jìn)行研磨，在研磨

前需要先定位砂輪與碳化硅的晶棒端面的位置，現(xiàn)有技術(shù)尋找碳化硅端面與砂輪端面的方

法，主要是以碳化硅晶棒底面為基準(zhǔn)，然后通過三爪卡盤將碳化硅晶棒夾住，而后進(jìn)行定

位。但是由于碳化硅本身晶棒較短(8mm-25mm)，采用三爪卡盤固定碳化硅晶棒圓邊，

臺(tái)灣進(jìn)口永常超精密晶棒研磨機(jī)能很好的解決這一系列問題。